Моделирование адсорбционно-резистивного отклика в сенсорных слоях органических полупроводников

Abstract

Предложенная теоретическая модель адсорбционно-резистивного отклика примесного органического полупроводника при сопоставлении с экспериментальными данными позволила установить механизм сенсорного отклика на диоксид азота пленок ионно-легированного фталоцианина меди. Показано, что ионно-имплантированная примесь увеличивает сенсорный отклик, если электронные состояния этой примеси располагаются по шкале энергий ниже собственных, а состояния регистрируемого газа – между собственными и состояниями ионно-имплантированной примеси. Установлено, что максимальный сенсорный отклик наблюдается при концентрации ионно-имплантированной примеси, соответствующей переходу от собственной к примесной проводимости примесного органического полупроводника.