Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/15282
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Тульев, Валентин Валентинович | ru |
dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | ru |
dc.date.accessioned | 2017-03-17T12:40:35Z | - |
dc.date.available | 2017-03-17T12:40:35Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Тульев, В. В. Элементный состав и распределение компонентов по глубине в структурах Ме/Ве, полученных методом ионно-ассистируемого осаждения / В. В. Тульев, И. С. Ташлыков // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2015. - С. 107-111. | - |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/15282 | - |
dc.description.abstract | На подложки из бериллия наносились тонкие пленки на основе металлов (хром, титан, медь и вольфрам) методом ионно-ассистируемого осаждения в вакууме. Для реализации этого метода использовался ионный источник, создающий плазму вакуумного электродугового разряда, в которой одновременно генерируются положительные ионы и нейтральная фракция из материала электродов. Ионно-ассистируемое нанесение покрытий осуществлялось при ускоряющем напряжении 20 кВ. Плотность ионного тока составляла ?6?20 мкА/см2, а интегральный поток облучающих ионов равен (0,4?1,2) ? 1017 ион/см2. В рабочей камере в процессе осаждения покрытий поддерживался вакуум при давлении ~10?2 Па. Элементный состав поверхности структур Ме/Ве, распределение элементов в покрытии изучались с применением метода резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия с Е0 = 2,0 МэВ при углах рассеяния, влета и вылета 165, 0, 15° соответственно. Для послойного элементного анализа элементного состава на поверхности и в объеме использовалась программа RUMP компьютерного моделирования экспериментальных спектров POP. Исследования показали, что на бериллии формируется поверхностная структура толщиной ~50?60 нм. В состав покрытия входят атомы осажденного металла (0,5?3,3 ат. %), атомы технологических примесей С (0,8?1,8 ат. %) и О (6,3?9,9 ат. %), атомы Ве из подложки. Установлено, что содержание кислорода в покрытии возрастает по сравнению с исходным образцом и достигает наибольшего значения при осаждении покрытия на основе Cr и Ti. А содержание углерода в покрытии уменьшается и достигает своего наименьшего значения при осаждении покрытия на основе W. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | бериллий | ru |
dc.subject | вольфрам | ru |
dc.subject | ионно-ассистируемое осаждение | ru |
dc.subject | медь | ru |
dc.subject | титан | ru |
dc.subject | тонкие пленки | ru |
dc.subject | хром | ru |
dc.title | Элементный состав и распределение компонентов по глубине в структурах Ме/Ве, полученных методом ионно-ассистируемого осаждения | ru |
dc.type | Article | en |
dc.identifier.udc | 539.1.06:539.23.234 | - |
Appears in Collections: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2015 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ehlementnyi-sostav-i-raspredelenie-komponentov-po-glubine-v-strukturax-meve-poluchennyx-metodom-ionno-assistiruemogo-osazhdeniya-v.-v.-tulev-i.-s.-tashlykov.pdf | 416.18 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.