Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/20111
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мадьяров, Владимир Рафкатович | ru |
dc.date.accessioned | 2017-03-29T12:00:47Z | - |
dc.date.available | 2017-03-29T12:00:47Z | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier.citation | Мадьяров, В. Р. Измерение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта Фарадея в миллиметровом диапазоне / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2016. - С. 101-105 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/20111 | - |
dc.description.abstract | Применение магнитооптического эффекта для исследования полупроводников позволяет определить такие параметры, как эффективная масса, подвижность и время релаксации. В диапазоне частот 50–75 ГГц поглощение электромагнитных волн в объеме полупроводника практически полностью обусловлено свободными носителями, и в спектре поглощения отсутст-вуют области с аномальной дисперсией. Поэтому распространение плоско-поляризованной электромагнитной волны описывается системой линейных дифференциальных уравнений для немагнитной проводящей среды. Для продольного магнитного поля (геометрии Фарадея) полу-чена система уравнений для угла поворота плоскости поляризации зондирующей волны, реше-ние которой дает эффективное значение подвижности и время релаксации. Измерения угла по-ворота плоскости поляризации на пластинках n-Si и n-Ge показывают, что его зависимость от магнитной индукции близка к линейной, а постоянная Верде возрастает с повышением частоты. В исследуемом диапазоне частот ее величина изменяется в пределах 0,02–0,06 град/(мТл • мм) для n-Si и 0,02–0,20 град/(мТл • мм) для n-Ge. Значение эффективной массы для n-Si в направле-нии оси [100] хорошо согласуется с расчетным значением, полученным на основе известных данных для продольной и поперечной масс. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | волны миллиметрового диапазона | ru |
dc.subject | эффект Фарадея | ru |
dc.subject | подвижность | ru |
dc.subject | удельная электропроводность | ru |
dc.subject | полупроводники | ru |
dc.subject | электронный перенос | ru |
dc.title | Измерение параметров электронного переноса в полупроводниках с помощью эффекта Фарадея в миллиметровом диапазоне | ru |
dc.type | Article | en |
dc.identifier.udc | 537.633.2 | - |
Appears in Collections: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2016 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
izmerenie-parametrov-ehlektronnogo-perenosa-v-poluprovodnikax-s-pomoshhyu-ehffekta-faradeya-v-millimetrovom-diapazone-madyarov-v.-r..pdf | 721.86 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.