Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/50758
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГлоба, И. И.-
dc.contributor.authorПрокопчук, Николай Романович-
dc.date.accessioned2022-10-05T12:03:21Z-
dc.date.available2022-10-05T12:03:21Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationГлоба, И. И. Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия / И. И. Глоба, Н. Р. Прокопчук // Разработка импортозамещающих технологий и материалов в химической промышленности : материалы международной научно-технической конференции, Минск, 20-22 октября 1999 г. - Минск : БГТУ, 1999. - С. 184-185ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/50758-
dc.description.abstractВ данной работе исследована взаимосвязь плотности поверхностных состояний N[ss[, заряда N[s], гистерезиса вольтфарадных характеристик (ВФХ) с химическим строением полиимидов и технологическими условиями получения пассивирующих слоев на арсениде галлия при создании фотоприемников с низкой скоростью поверхностной рекомбинации зарядов и М ДП-транзисторов.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.subjectполиимидные покрытияru
dc.subjectпассивация поверхности полупроводниковru
dc.subjectимидизация покрытийru
dc.subjectарсенид галлияru
dc.subjectполупроводниковые материалыru
dc.titleПолиимидная пассивация поверхности арсенида галлияru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.315.592-
Appears in Collections:Статьи в республиканских изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Глоба. Полиимидная.pdf114.57 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.