Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/61989
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБогомазова, Наталья Валентиновна-
dc.contributor.authorСидоров, В. Д.-
dc.contributor.authorГолубева, А. А.-
dc.contributor.authorЖарский, Иван Михайлович-
dc.date.accessioned2024-01-09T07:39:27Z-
dc.date.available2024-01-09T07:39:27Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationОсобенности пленок полупроводников А{II}B{VI}, полученных методом химического осаждения или наслаивания / Н. В. Богомазова [и др.] // Технологическая независимость и конкурентоспособность Союзного государства, стран СНГ, ЕАЭС и ШОС : сборник статей VI Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2023", Минск, 6-8 декабря 2023 г. : в 3 т. - Минск : БГТУ, 2023. - Т. 2. - С. 42-47.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/61989-
dc.description.abstractПроведены исследования субмикронных пленок полупроводников класса А{II}В{VI} на примере покрытий CdS, полученных методом гидрохимического осаждения (CBD), а также ZnO и ZnS, полученных химического наслаивания (SILD или SILAR). Наиболее высокая скорость осаждения на уровне 13 нм/мин зафиксирована при гидрохимическом осаждении CdS. Отмечено, что нанесение пленки ZnO наиболее сильно снижает прозрачность стеклянной подложки с 90 до 40 %.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГТУru
dc.subjectсубмикронные пленкиru
dc.subjectпленки полупроводников класса А{II}В{VI}ru
dc.subjectметод гидрохимического осажденияru
dc.subjectхимическое наслаиваниеru
dc.subjectгидрохимическое осаждение CdSru
dc.subjectфотовольтаические гетероструктурыru
dc.subjectпленки широкозонных полупроводниковru
dc.titleОсобенности пленок полупроводников А{II}B{VI}, полученных методом химического осаждения или наслаиванияru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.794.4-
Appears in Collections:материалы конференции постатейно

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Богомазова_Особенности.pdf438.33 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.