Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/12186
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бобрович, Олег Георгиевич | ru |
dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | ru |
dc.contributor.author | Тульев, Валентин Валентинович | ru |
dc.date.accessioned | 2017-03-10T07:59:37Z | - |
dc.date.available | 2017-03-10T07:59:37Z | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.citation | Бобрович, О. Г. Влияние параметров ионно-ассистируемого осаждения на формирование Me/Si-структур / О. Г. Бобрович, И. С. Ташлыков, В. В. Тульев // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2014. - С. 74-76. | - |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/12186 | - |
dc.description.abstract | Методом РОР изучен элементный состав металлических (Co, Mo, W) покрытий, осажденных на (100)Si в условиях ионного (Co+, Mo+, W+ ) ассистирования. Толщина покрытия увеличивается с уменьшением ускоряющего напряжения для ассистирующих ионов Со+, Мо+, W+ от 20 до 7 кВ и зависит как от отношения плотности потока ионов Ji к плотности потока нанесенных атомов JА (Ji / JА), так и типа осаждаемого на Si металла. Установлено, что оптимальное отношение Ji / JА, при котором достигается наибольшая толщина Со и Мо-покрытий составляет 0,06, а для W-покрытия – 0,04. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | ионно-ассистируемое нанесение | ru |
dc.subject | ионно-ассистируемое осаждение | ru |
dc.subject | металлические покрытия | ru |
dc.subject | резерфордовское обратное рассеяние | ru |
dc.title | Влияние параметров ионно-ассистируемого осаждения на формирование Me/Si-структур | ru |
dc.type | Article | en |
dc.identifier.udc | 539.1.06:539.23.234 | - |
Appears in Collections: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2014 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.