Влияние параметров ионно-ассистируемого осаждения на формирование Me/Si-структур

Abstract

Методом РОР изучен элементный состав металлических (Co, Mo, W) покрытий, осажденных на (100)Si в условиях ионного (Co+, Mo+, W+ ) ассистирования. Толщина покрытия увеличивается с уменьшением ускоряющего напряжения для ассистирующих ионов Со+, Мо+, W+ от 20 до 7 кВ и зависит как от отношения плотности потока ионов Ji к плотности потока нанесенных атомов JА (Ji / JА), так и типа осаждаемого на Si металла. Установлено, что оптимальное отношение Ji / JА, при котором достигается наибольшая толщина Со и Мо-покрытий составляет 0,06, а для W-покрытия – 0,04.