Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/24777
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Урбанович, Павел Павлович | ru |
dc.contributor.author | Алексеев, Виктор Федорович | ru |
dc.contributor.author | Верниковский, Евгений Александрович | ru |
dc.date.accessioned | 2018-03-31T06:36:32Z | - |
dc.date.available | 2018-03-31T06:36:32Z | - |
dc.date.issued | 1995 | - |
dc.identifier.citation | Урбанович, П. П. Избыточность в полупроводниковых интегральных микросхемах памяти / П. П. Урбанович, В. Ф. Алексеев, Е. А. Верниковский. - Минск : Навука і тэхніка, 1995. - 262 с. | ru |
dc.identifier.isbn | 5-343-01188-8 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/24777 | - |
dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти. Описаны математические модели распределения статистически независимых и группирующихся дефектных и отказавших элементов на кристаллах МП, построенные на базе обширных статистических данных о характере и причинах возникновения неисправностей. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Навука і тэхніка | be |
dc.subject | микросхемы памяти | ru |
dc.subject | полупроводниковая память | ru |
dc.subject | надежность избыточных микросхем памяти | ru |
dc.subject | запоминающее устройство | ru |
dc.subject | интегральные схемы памяти | ru |
dc.title | Избыточность в полупроводниковых интегральных микросхемах памяти | ru |
dc.type | Book | en |
Располагается в коллекциях: | Кафедра информационных систем и технологий |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Urbanovich_izbytochnost'.pdf | 16.2 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.