Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/28739Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ястреб, К. И. | ru |
| dc.contributor.author | Галковский, Тимур Вячеславович | ru |
| dc.contributor.author | Богомазова, Наталья Валентиновна | ru |
| dc.date.accessioned | 2019-04-08T08:40:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-08T08:40:21Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Ястреб, К. И. Получение и исследование полупроводниковых сульфидных пленочных наноструктур / К. И. Ястреб, Т. В. Галковский, Н. В. Богомазова // Инновационные материалы и технологии : материалы докладов Международной научно-технической конференции молодых ученых, Минск, 9-11 января 2019 г. – Минск : БГТУ, 2019. - С. 39-42. | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/28739 | - |
| dc.description.abstract | Целью данной работы было формирование и исследование свойств индивидуальных пленок и гетероструктур на основе сульфидов Zn и Sn, изучаемых в связи с перспективами их использования в качестве функциональных фоточувствительных слоев. | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | БГТУ | ru |
| dc.subject | наноразмерные пленочные материалы | ru |
| dc.subject | сульфидные пленки | ru |
| dc.subject | полупроводниковые сульфиды | ru |
| dc.subject | ионное наслаивание | ru |
| dc.subject | формирование сульфидных гетероструктур | ru |
| dc.subject | фоточувствительность | ru |
| dc.title | Получение и исследование полупроводниковых сульфидных пленочных наноструктур | ru |
| dc.type | Article | en |
| dc.identifier.udc | 621.794.4:661.862.22 | - |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференции постатейно | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| YAstreb_Poluchenie i issledovanie.pdf | 570.51 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
