Программно аппаратный технологический комплекс для темплатно ассистированного синтеза магнитных нанокомпозитов

Abstract

Полученные нанокомпозиты имеют вертикальную анизотропию – прямоугольность петли гистерезиса в направлении перпендикулярном подложке выше, чем в плоскости подложки. С ростом времени заполнения пор растет не только магнитный момент пленки (что вполне объяснимо, так как увеличивается количество металлического кобальта в пленке), но и прямоугольность петли гистерезиса в направлении перпендикулярном к поверхности подложки. Последнее явление мы объяснили тем, что уменьшается эффект саморазмагничивания, поскольку с увеличением количества кобальта в пленке увеличивается длина нанонитей в нанокомпозите, а, значит, увеличивается и соотношение длины нанонитей к их диаметру. Полученные материалы могут быть использованы в качестве сред для хранения больших объемов информации.