Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/29787
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГалковский, Тимур Вячеславович-
dc.contributor.authorБогомазова, Наталья Валентиновна-
dc.contributor.authorЖарский, Иван Михайлович-
dc.date.accessioned2019-06-24T12:09:29Z-
dc.date.available2019-06-24T12:09:29Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationГалковский, Т. В. Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILAR / Т. В. Галковский, Н. В. Богомазова, И. М. Жарский // Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019 : материалы Международной научно-технической конференции, Минск, 13-17 мая 2019 г. - Минск : БГТУ, 2019. - С. 301-304.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/29787-
dc.description.abstractОбъектами исследований в данной работе являлись тонкие пленки SnS[x]. Сульфид олова является альтернативным фотовольтаическим материалом в новом поколении тонкопленочных солнечных ячеек, способным заменить хорошо известные функциональные материалы на основе CdTe, содержащие токсичный кадмий. Кроме того, новые возможности применения оптических свойств SnS в видимом диапазоне спектра открывает переход от микрокристаллического состояния в наноструктурированное.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherБГТУru
dc.subjectформирование пленочных структурru
dc.subjectпленочные структурыru
dc.subjectсульфидыru
dc.subjectсульфид оловаru
dc.subjectнанотехнологический методru
dc.subjectионное наслаиваниеru
dc.subjectметод SILARru
dc.titleОсобенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILARru
dc.typeArticleen
Appears in Collections:Жарский Иван Михайлович
Материалы конференции постатейно

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Galkovskij_Osobennosti formirovaniya.pdf284.44 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.