Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/29787
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГалковский, Тимур Вячеславович-
dc.contributor.authorБогомазова, Наталья Валентиновна-
dc.contributor.authorЖарский, Иван Михайлович-
dc.date.accessioned2019-06-24T12:09:29Z-
dc.date.available2019-06-24T12:09:29Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationГалковский, Т. В. Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILAR / Т. В. Галковский, Н. В. Богомазова, И. М. Жарский // Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019 : материалы Международной научно-технической конференции, Минск, 13-17 мая 2019 г. - Минск : БГТУ, 2019. - С. 301-304.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/29787-
dc.description.abstractОбъектами исследований в данной работе являлись тонкие пленки SnS[x]. Сульфид олова является альтернативным фотовольтаическим материалом в новом поколении тонкопленочных солнечных ячеек, способным заменить хорошо известные функциональные материалы на основе CdTe, содержащие токсичный кадмий. Кроме того, новые возможности применения оптических свойств SnS в видимом диапазоне спектра открывает переход от микрокристаллического состояния в наноструктурированное.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherБГТУru
dc.subjectформирование пленочных структурru
dc.subjectпленочные структурыru
dc.subjectсульфидыru
dc.subjectсульфид оловаru
dc.subjectнанотехнологический методru
dc.subjectионное наслаиваниеru
dc.subjectметод SILARru
dc.titleОсобенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILARru
dc.typeArticleen
Располагается в коллекциях:Жарский Иван Михайлович
Материалы конференции постатейно

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Galkovskij_Osobennosti formirovaniya.pdf284.44 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.