Изучение стабильности кремниевых комплексов в расплаве KF−KCl−K[2]SiF[6]-SiO[2]

Abstract

Исследование проводили в рамках теории функционала электронной плотности с использованием базиса плоских волн. Для всех рассмотренных систем была произведена геометрическая оптимизация с использованием обобщённого градиентного приближения в форме PBE. Динамическую релаксацию атомов проводили до тех пор, пока изменение полной энергии системы не становилось меньше 0.001 эВ. Энергию обрезания базиса плоских волн полагали равной 300 Ry. Термическую устойчивость комплексов кремния исследовали в термостате Нозе-Гувера после геометрической оптимизации. Комплексы кремния помещали в термостат и выдерживали при температурах 923, 1023, 1043 и 1073 K в течение 2000 временных шагов (один шаг имел длительность 1 фс).