Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/31999
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Галковский, Тимур Вячеславович | - |
dc.contributor.author | Богомазова, Наталья Валентиновна | - |
dc.contributor.author | Мурашкевич, Анна Николаевна | - |
dc.contributor.author | Захлебаева, А. И. | - |
dc.contributor.author | Горох, Г. Г. | - |
dc.date.accessioned | 2019-12-19T08:14:56Z | - |
dc.date.available | 2019-12-19T08:14:56Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Ионное наслаивание наноразмерных пленочных структур на основе сульфидов самария / Т. В. Галковский [и др.] // Наноструктуры в конденсированных средах. - Минск : [Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова], 2018. - С. 189-194. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/31999 | - |
dc.description.abstract | Определены оптимальные режимы формирования однородного функционального покрытия SmS[х] методом многократного ионного наслаивания на поверхности низкопрофильных матриц анодного оксида алюминия на кремниевых пластинах. Безградиентная генерация термо-ЭДС в профилированных атричных пленках SmS[x]/Al[2]O[3]/Si толщиной 0,5-1,5 мкм начинается при температуре около 150 °С. | ru |
dc.subject | матрично-пленочные структуры | ru |
dc.subject | наноразмерные пленочные материалы | ru |
dc.subject | сульфиды самария | ru |
dc.subject | сульфидные пленки | ru |
dc.subject | функциональные покрытия | ru |
dc.subject | электрохимический синтез | ru |
dc.subject | ионное наслаивание | ru |
dc.title | Ионное наслаивание наноразмерных пленочных структур на основе сульфидов самария | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.identifier.udc | 544.654.2 | - |
Располагается в коллекциях: | Статьи в республиканских изданиях |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Galkovskij_Ionnoe.pdf | 338.51 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.