Определение параметров переноса носителей заряда в полупроводниках с помощью СВЧ-зондирования

Abstract

Параметры электронного переноса в полупроводниковом образце можно оценить из измерений коэффициента пропускания, угла поворота плоскости поляризации и фазового сдвига проходящего СВЧ-излучения. Получены соотношения для расчета проводимости, подвижности и диэлектрической проницаемости. Приведены результаты измерений проводимости и подвижности носителей заряда в образце n-Si на частоте 20 ГГц при температурах порядка комнатной. Показано, что на результат измерений существенное влияние оказывают отражения от поверхностей образца, и поэтому требуется предварительная калибровка аппаратуры.