Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия

Abstract

При имплантации ионов в полупроводниковые материалы электрофизические свойства модифицированных поверхностных слоев в значительной степени определяются не только видом и количеством добавок, но и еще и формирующимися в них во время и после имплантации радиационными дефектами. В данной работе изучалась кинетика накопления дефектов структуры в кристалле (111) GaAs, облучаемой ионами алюминия энергией 60 кэВ и дозами 4,10×10{13} Al{+}/см{2} - 8,14×10{15} Al{+}/см{2} при комнатной температуре.