Формирование и исследование характеристик тонких пленок оксидов меди и цинка и гетероструктур на их основе

Abstract

В работе обсуждаются результаты исследования электронных и оптических характеристик гетеростурктур на основе оксидов меди и цинка, полученных методом магнетронного осаждения. ZnO был использован в качестве полупроводника n-типа, а пленка оксида меди - в качестве полупроводника p-типа. Обсуждаются результаты исследования вольт-амперных характеристик структуры ITO/ZnO/Cu[2]O(CuO)/Ag, снятые в темноте и в условиях солнечного освещения (100 мВт/см{2}).