Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/41331
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБарайшук, Сергей Михайлович-
dc.contributor.authorТуравец, А. И.-
dc.contributor.authorБобрович, Олег Георгиевич-
dc.contributor.authorВертель, М.-
dc.contributor.authorБудзинский, М.-
dc.date.accessioned2021-05-28T08:47:30Z-
dc.date.available2021-05-28T08:47:30Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationВлияния режимов получения на свойства поверхности структур Mo/стекло используемых для тонкопленочных фотопреобразователей / С. М. Барайшук [и др.] // Актуальные проблемы физики твердого тела : сборник докладов VIII Международной научной конференции, 24-28 сентября 2018 г., Минск. - Минск : Ковчег, 2018. - Т. 1. - С. 219-221. - Библиогр.: 8 назв.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/41331-
dc.description.abstractМетодом электронно-зондовой микроскопии (EDX Oxford Instruments AZtecEnergy-Advanced) и атомно-силовой микроскопии (NT 206 (Microtestmachines Со., Беларусь) в контактном режиме, исследовано влияние режимов нанесения Мо покрытия, на свойства поверхности подложек Мо/стекло для тонкопленочных медьсодержащих халькогенидных полупроводниковых материалов, используемых для создания солнечных фотопреобразователей.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.publisherКовчегru
dc.subjectтонкопленочные фотопреобразователиru
dc.subjectтонкопленочные солнечные элементыru
dc.subjectэлектронно-зондовая микроскопияru
dc.subjectатомно-силовая микроскопиияru
dc.titleВлияния режимов получения на свойства поверхности структур Mo/стекло используемых для тонкопленочных фотопреобразователейru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc537.311.322-
Располагается в коллекциях:Статьи в республиканских изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Барайшук_Влияния.pdf343.87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.