Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/43470
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мадьяров, Владимир Рафкатович | - |
dc.date.accessioned | 2021-10-28T10:55:48Z | - |
dc.date.available | 2021-10-28T10:55:48Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Мадьяров В. Р. Влияние магнитоплазменных эффектов на прохождение субмиллиметровых волн через полупроводники // Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика. 2021. № 2 (248). С. 53–57. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/43470 | - |
dc.description.abstract | Одним из способов эффективного управления пропусканием полупроводника в области частот 50–300 ГГц является создание достаточно большой концентрации носителей в объеме полупроводника, помещенного в магнитное поле, внешним источником ионизирующего излучения. В этом диапазоне существуют резонансные частоты, при которых диэлектрическая проницаемость образца и коэффициент пропускания имеют экстремальные значения. Магнитоплазменный резонанс может достигаться изменением магнитного поля или интенсивности внешнего ионизирующего излучения. В данной работе исследовано влияние магнитного поля и интенсивности фотовозбуждения полупроводника (n-Si) на коэффициент пропускания субмиллиметровых волн. Получены и проанализированы зависимости коэффициента пропускания субмиллиметрового излучения от плотности потока фотовозбуждения и индукции магнитного поля. Наблюдаемое ослабление субмиллиметрового излучения объясняется увеличением плотности плазмы полупроводника. Установлено, что коэффициент пропускания тонкого слоя имеет минимум, обусловленный совпадением частоты зондирующего излучения с частотой магнитоплазменного резонанса в диапазоне 75–200 ГГц. Эффективное ослабление излучения обеспечивалось регулированием индукции поперечного магнитного поля в диапазоне 0,4–0,6 Тл и интенсивности подсветки. Полученные результаты могут применяться для создания полупроводниковых приборов, управляющих субмиллиметровым излучением магнитным полем в сочетании с фотовозбуждением | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | волны миллиметрового диапазона | ru |
dc.subject | магнитоплазменное отражение | ru |
dc.subject | коэффициент пропускания | ru |
dc.title | Влияние магнитоплазменных эффектов на прохождение субмиллиметровых волн через полупроводники | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.identifier.udc | 537.633.2 | - |
dc.identifier.DOI | https://doi.org/10.52065/2520-6141-2021-248-2-53-57 | - |
Appears in Collections: | выпуск журнала постатейно |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
9. Мадьяров.pdf | 688.93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.