Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Лугин, Валерий Геннадьевич | - |
| dc.contributor.author | Жарский, Иван Михайлович | - |
| dc.date.accessioned | 2022-01-12T04:58:09Z | - |
| dc.date.available | 2022-01-12T04:58:09Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Лугин, В. Г. Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия / В. Г. Лугин, И. М. Жарский // Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001. - С. 53-60. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905 | - |
| dc.description.abstract | Целью настоящей работы являлось исследование закономерностей изменения структурных и электрофизических параметров, происходящих в процессе неизотермического окисления тонких пленок индия. | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГТУ | ru |
| dc.subject | индий | ru |
| dc.subject | термическое окисление | ru |
| dc.subject | полупроводниковые материалы | ru |
| dc.subject | тонкие пленки индия | ru |
| dc.subject | магнетронное напыление | ru |
| dc.subject | кремний монокристаллический | ru |
| dc.subject | электронная микроскопия | ru |
| dc.title | Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udc | 546.814+539.23 | - |
| Располагается в коллекциях: | Жарский Иван Михайлович Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001 | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Лугин. Жарский_Закономерности.pdf | 1.3 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.