Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛугин, Валерий Геннадьевич-
dc.contributor.authorЖарский, Иван Михайлович-
dc.date.accessioned2022-01-12T04:58:09Z-
dc.date.available2022-01-12T04:58:09Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationЛугин, В. Г. Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия / В. Г. Лугин, И. М. Жарский // Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001. - С. 53-60.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/44905-
dc.description.abstractЦелью настоящей работы являлось исследование закономерностей изменения структурных и электрофизических параметров, происходящих в процессе неизотерми­ческого окисления тонких пленок индия.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГТУru
dc.subjectиндийru
dc.subjectтермическое окислениеru
dc.subjectполупроводниковые материалыru
dc.subjectтонкие пленки индияru
dc.subjectмагнетронное напылениеru
dc.subjectкремний монокристаллическийru
dc.subjectэлектронная микроскопияru
dc.titleЗакономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индияru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc546.814+539.23-
Appears in Collections:Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Лугин. Жарский_Закономерности.pdf1.3 MBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.