Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/45524
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Чернышова, Е. В. | - |
dc.contributor.author | Сергиенко, И. А. | - |
dc.contributor.author | Новицкий, А. П. | - |
dc.contributor.author | Колесников, Е. А. | - |
dc.contributor.author | Воронин, А. И. | - |
dc.contributor.author | Ховайло, В. В. | - |
dc.date.accessioned | 2022-02-02T12:43:31Z | - |
dc.date.available | 2022-02-02T12:43:31Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Влияние легирования на термоэлектрические свойства материала на основе оксида цинка / Е. В. Чернышова [и др.] // Инновационные материалы и технологии - 2021 : материалы Международной научно-технической конференции молодых ученых, Минск, 19-21 января 2021 г. - Минск : БГТУ, 2021. – С. 15-19. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/45524 | - |
dc.description.abstract | В данной работе был проведен анализ влияния методов получения оксида цинка на термоэлектрические свойства. Для сравнения были выбраны следующие методы получения: химическое осаждение, ультразвуковой спрей-пиролиз. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | оксид цинка | ru |
dc.subject | термоэлектрические материалы | ru |
dc.subject | легирование | ru |
dc.subject | полупроводники | ru |
dc.subject | методы получения оксида цинка | ru |
dc.subject | химическое осаждение | ru |
dc.subject | ультразвуковой спрей-пиролиз | ru |
dc.title | Влияние легирования на термоэлектрические свойства материала на основе оксида цинка | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.identifier.udc | 66.046.516 | - |
Располагается в коллекциях: | материалы конференции постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Чернышова_Влияние_легирования.pdf | 241.3 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.