Использование комбинированных методик для формирования полупроводниковых гетероструктур

Abstract

Актуальным направлением развития SNS-оптоэлектроники является более активное исследование гетероструктур, в которых в качестве широкозонного полупроводника используются оксидные, а не сульфидные полупроводники, в частности ZnO, TiO[2], SnO[2], CuO, NiO и другие полупроводниковые оксиды. Насущной задачей является исследование комбинированных аппаратурно несложных методик формирования гетероструктур, позволяющих, с одной стороны, обеспечить снижение продолжительности формирования поглощающего слоя SnS повышенной толщины и, с другой стороны обеспечить управляемое нанесение наноразмерного контактного слоя широкозонного полупроводника.