Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/50758Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Глоба, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Прокопчук, Николай Романович | - |
| dc.date.accessioned | 2022-10-05T12:03:21Z | - |
| dc.date.available | 2022-10-05T12:03:21Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Глоба, И. И. Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия / И. И. Глоба, Н. Р. Прокопчук // Разработка импортозамещающих технологий и материалов в химической промышленности : материалы международной научно-технической конференции, Минск, 20-22 октября 1999 г. - Минск : БГТУ, 1999. - С. 184-185 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/50758 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе исследована взаимосвязь плотности поверхностных состояний N[ss[, заряда N[s], гистерезиса вольтфарадных характеристик (ВФХ) с химическим строением полиимидов и технологическими условиями получения пассивирующих слоев на арсениде галлия при создании фотоприемников с низкой скоростью поверхностной рекомбинации зарядов и М ДП-транзисторов. | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | полиимидные покрытия | ru |
| dc.subject | пассивация поверхности полупроводников | ru |
| dc.subject | имидизация покрытий | ru |
| dc.subject | арсенид галлия | ru |
| dc.subject | полупроводниковые материалы | ru |
| dc.title | Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udc | 621.315.592 | - |
| Располагается в коллекциях: | Статьи в республиканских изданиях | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Глоба. Полиимидная.pdf | 114.57 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.