1. Электронная библиотека БГТУ
  2. Публикации ученых БГТУ
  3. Публикации в зарубежных изданиях
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБобрович, Олег Георгиевич-
dc.date.accessioned2023-05-23T10:08:55Z-
dc.date.available2023-05-23T10:08:55Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationБобрович, О. Г. Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора / О. Г. Бобрович // Тезисы докладов 51-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 24-26 мая 2022 г. - Москва : МГУ им. М. В. Ломоносова, 2022. - С. 122.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/57020-
dc.description.abstractВ настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с каналированием (РОРКИ) исследовано дефектообразование в кристаллах (111) GaAs, имплантированных ионами алюминия энергией 60 кэВ и дозами 4,0·10{13} Al{+}/см{2} – 8,1·10{15} Al{+}/см{2} при комнатной температуре и фосфора с энергией 60 кэВ до дозы 4,0·10{14} Р{+}/см{2} после термического отжига в интервале температур 150−450 °С.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.subjectрезерфордовское обратное рассеяниеru
dc.subjectионы гелияru
dc.subjectдефектообразованиеru
dc.subjectарсенид галлияru
dc.subjectимплантация ионовru
dc.subjectионы алюминияru
dc.subjectионы фосфораru
dc.titleДефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфораru
dc.typeThesisru
dc.identifier.udc621.793:539.211:539.188-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Бобрович_Дефектообразование.pdf99.73 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.