1. Электронная библиотека БГТУ
  2. Статьи ученых БГТУ
  3. Статьи в зарубежных изданиях
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67988
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБогомазова, Наталья Валентиновна-
dc.contributor.authorСлесаренко, Ольга Александровна-
dc.contributor.authorБокун, Георгий Станиславович-
dc.contributor.authorЖарский, Иван Михайлович-
dc.date.accessioned2024-10-28T09:21:00Z-
dc.date.available2024-10-28T09:21:00Z-
dc.date.issued1992-
dc.identifier.citationВлияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленок / Н. В. Богомазова, О. А. Слесаренко, Г. С. Бокун, И. М. Жарский. - Текст : непосредственный // Электрохимия. - 1992. - Т. 28, №. 9. - С. 1397-1400. - Библиогр.: 5 назв.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/67988-
dc.description.abstractВ работе рассматривается пример гауссовского распределения донорных уровней. Такое распределение соответствует концентрации примеси, внедренной, например. методом ионной имплантации в неупорядоченные аморфные матрицы. Частным случаем подобной системы являются исследуемые авторами полупроводниковые пленки пассивирующихся металлов, имплантированные ионами платины, палладия и др.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.subjectраспределение электроновru
dc.subjectодноэлектронное приближениеru
dc.subjectуравнение Пуассонаru
dc.subjectдифференциальная емкостьru
dc.subjectраспределение примесных центровru
dc.titleВлияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленокru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc544.6.076-
Appears in Collections:Жарский Иван Михайлович
Статьи в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Богомазова_Влияние.pdf275.77 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.