Влияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленок

Abstract

В работе рассматривается пример гауссовского распределения донорных уровней. Такое распределение соответствует концентрации примеси, внедренной, например. методом ионной имплантации в неупорядоченные аморфные матрицы. Частным случаем подобной системы являются исследуемые авторами полупроводниковые пленки пассивирующихся металлов, имплантированные ионами платины, палладия и др.