Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/73997
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКрук, Николай Николаевич-
dc.contributor.authorНаркевич, Иван Иванович-
dc.contributor.authorПоплавский, Василий Владимирович-
dc.contributor.authorМисевич, Алексей Васильевич-
dc.contributor.authorБобрович, Олег Георгиевич-
dc.contributor.authorТульев, Валентин Валентинович-
dc.contributor.authorЧаевский, Вадим Витальевич-
dc.contributor.authorМадьяров, Владимир Рафкатович-
dc.contributor.authorКленицкий, Дмитрий Викентьевич-
dc.contributor.authorКрылов, Андрей Борисович-
dc.contributor.authorФарафонтова, Елена Валерьевна-
dc.contributor.authorБуцень, Андрей Викторович-
dc.contributor.authorВершиловская, Ирина Вацлавовна-
dc.date.accessioned2026-02-24T10:11:15Z-
dc.date.available2026-02-24T10:11:15Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationФизические принципы создания новых материалов и молекулярных систем с заданными функциональными свойствами [Текст] : отчет о НИР (заключительный) / Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования "Белорусский государственный технологический университет" (БГТУ) ; рук. Н. Н. Крук ; исполн.: Н. Н. Крук, И. И. Наркевич, В. В. Поплавский, А. В. Мисевич, О. Г. Бобрович, В. В. Тульев, В. В. Чаевский, В. Р. Мадьяров, Д. В. Кленицкий, А. Б. Крылов, Е. В. Фарафонтова, А. В. Буцень, И. В. Вершиловская. - ГБ 45-21 ; Инв. 9801н.о. - Минск, 2021. - 42, [3] с.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/73997-
dc.description.abstractЦель работы - изучение спектрально-люминесцентных характеристик тетрапиррольных соединений - продуктов кислотно-основных равновесий в ядре тет­рапиррольного макроцикла; разработка численно-аналитических методов стати­стического описания кристаллических систем; исследование микроструктуры и со­става слоев на поверхности тантала, формируемых путем легирования ускоренны­ми ионами переходных металлов; изучить возможность применения методов ска­нирующей туннельной спектроскопии и фотоассистированной сканирующей тун­нельной микроскопии для исследования локальных (на нанометровых масштабах) свойств поверхности тонкопленочных структур и наноструктур на основе органиче­ского полупроводника поли[2-метокси-5-(2-этилгексилокси)-1,4-фениленвинилена] (MEH-PPV); изучение кинетики накопления дефектов структуры в кристалле (111) GaAs, облучаемой ионами алюминия энергией 60 кэВ и различными дозами при комнатной температуре; сформировать методом конденсации с ионной бомбарди­ровкой (КИБ) на лезвиях ножей из твердого сплава (WC - 3 вес.% Со) фрезерного инструмента ZrN и Mo-N покрытия, разработать методику осаждения и сформиро­вать на поверхности ZrN и Mo-N покрытий, исследовать физико-механические свойства (структуру, фазовый и элементный состав, микротвердость, износостой­кость) сформированных слоев и модифицированного инструмента; разработка ме­тодики эффективного управления пропусканием полупроводниковой пластины в микро­волновой области, помещенной в магнитное поле, с помощью создания большой кон­центрации носителей.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.subjectтетрапиррольные соединенияru
dc.subjectкристаллические сферические наночастицыru
dc.subjectнаночастицыru
dc.subjectслои на поверхности танталаru
dc.subjectтанталru
dc.subjectтонкие пленкиru
dc.subjectобразцы кристалловru
dc.subjectфрезерный инструментru
dc.subjectполупроводниковые материалыru
dc.subjectпорфиринru
dc.subjectтуннельная спектроскопияru
dc.subjectспектроскопияru
dc.subjectарсенид галлияru
dc.subjectдефектообразованиеru
dc.subjectспектрыru
dc.subjectультрадисперсные алмазыru
dc.subjectалюминийru
dc.subjectСВЧ-излучениеru
dc.subjectкоэффициент пропусканияru
dc.titleФизические принципы создания новых материалов и молекулярных систем с заданными функциональными свойствамиru
dc.typeOtherru
Располагается в коллекциях:Отчеты

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
9801.pdf468.69 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.