Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/26645
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМадьяров, Владимир Рафкатовичru
dc.date.accessioned2018-11-12T08:18:07Z-
dc.date.available2018-11-12T08:18:07Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationМадьяров, В. Р. Применение эффектов вращения плоскости поляризации и магнитоплазменного отражения для определения параметров электронного переноса в полупроводниках / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика. - Минск : БГТУ, 2018. - № 2 (212). - С. 52-56.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/26645-
dc.description.abstractПредставлены результаты измерений постоянной вращения в кремнии с продольной и поперечной ориентацией магнитного поля относительно волнового вектора падающей волны (в геометрии Фарадея и Фойгта). Показано, что в образце n-Si при продольной ориентации магнитного поля постоянная вращения монотонно возрастает с частотой в диапазоне 30–80 ГГц и примерно на порядок превышает значение, полученное для поперечного магнитного поля. Получены соотношения между частотой зондирующей волны, циклотронной и магнитоплазменной частотами, соответствующие минимальному коэффициенту пропускания в СВЧ- и ИК-диапазонах, которые позволяют определить эффективную массу и концентрацию носителей заряда. Расчеты показывают, что в продольной геометрии электронные параметры полупроводника можно определить по абсолютной величине частотного сдвига магнитоплазменного отражения в дальней ИК-области. В поперечном магнитном поле эти параметры можно определить по частотам минимального и максимального пропускания. В миллиметровом диапазоне для получения полного отражения зондирующего излучения требуются очень сильные магнитные поля (более 10 Тл). Полученные данные позволяют выбрать наиболее эффективную и технически простую схему измерений.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.publisherБГТУru
dc.subjectволны магнитного диапазонаru
dc.subjectэлектронный переносru
dc.subjectполупроводникиru
dc.subjectэффект Фарадеяru
dc.subjectмагнитоплазменное отражениеru
dc.subjectконцентрация носителейru
dc.subjectэффективная массаru
dc.subjectкремнийru
dc.subjectмагнитное полеru
dc.titleПрименение эффектов вращения плоскости поляризации и магнитоплазменного отражения для определения параметров электронного переноса в полупроводникахru
dc.typeArticleen
dc.identifier.udc537.633.2-
Appears in Collections:выпуск журнала постатейно

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mad'jarov_Primenenie.pdf290.87 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.