Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/33165
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГалковский, Тимур Вячеславович-
dc.contributor.authorБогомазова, Наталья Валентиновна-
dc.contributor.authorЖарский, Иван Михайлович-
dc.contributor.authorКукло, Л. И.-
dc.contributor.authorТолстой, В. П.-
dc.date.accessioned2020-03-30T08:24:38Z-
dc.date.available2020-03-30T08:24:38Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationИспользование метода SILD для получения материалов электронной техники / Т. В. Галковский [и др.] // Интеграция и развитие научно-технического и образовательного сотрудничества - взгляд в будущее : сборник статей II Междунар. научно-техн. конф. "Минские научные чтения - 2019", Минск, 11-12 декабря 2019 г. : в 3 т. Т. 2. - Минск : БГТУ, 2020. - С. 33-35.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/33165-
dc.description.abstractПроведены исследования процессов формирования планарных пленок и гетероструктур, а также матрично-пленочных структур на основе функциональных полупроводниковых материалов. Планарные структуры формировались на стеклопластинах, покрытых слоем ITO (оксид индия-олова). Матрично-пленочные структуры формировались на кремниевых подложках, включающих поверхностный матричный слой пористого анодного оксида алюминия высотой 0,5–1 мкм.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГТУru
dc.subjectнаноэлектронные устройстваru
dc.subjectметод SILDru
dc.subjectжидкофазные прекурсорыru
dc.subjectматрично-пленочные структурыru
dc.subjectпланарные пленочные структурыru
dc.subjectхимическая технология наслаиванияru
dc.titleИспользование метода SILD для получения материалов электронной техникиru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.3.038.6-
Appears in Collections:материалы конференции постатейно

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Galkovskij_Ispol'zovanie.pdf653.87 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.