Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/40574| Title: | Влияние поверхностной рекомбинации на холловское поле в собственном полупроводнике |
| Authors: | Мадьяров, Владимир Рафкатович |
| Keywords: | биполярная проводимость датчики Холла магнитные поля поверхностные рекомбинации полупроводники холловские измерения холловское поле |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | БГТУ |
| Citation: | Мадьяров, В. Р. Влияние поверхностной рекомбинации на холловское поле в собственном полупроводнике / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2008. - С. 61-63. |
| Abstract: | В статье приводятся результаты расчетов распределения концентрации неравновесного заряда и напряженности холловского поля с учетом поверхностной рекомбинации в кремнии с собственной проводимостью. Показывается, что при конечной скорости поверхностной рекомбинации образуется приповерхностная область накопления заряда, ширина которой сравнима с диффузионной длиной, а напряженность холловского поля заметно отличается от значения, определяемого по традиционной формуле. Уменьшение поля вследствие рекомбинации следует учитывать при разработке холловских датчиков малых размеров. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/40574 |
| Appears in Collections: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2008 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Mad'yarov_Vliyanie.pdf | 190.98 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.