Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/40574| Название: | Влияние поверхностной рекомбинации на холловское поле в собственном полупроводнике |
| Авторы: | Мадьяров, Владимир Рафкатович |
| Ключевые слова: | биполярная проводимость датчики Холла магнитные поля поверхностные рекомбинации полупроводники холловские измерения холловское поле |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издательство: | БГТУ |
| Библиографическое описание: | Мадьяров, В. Р. Влияние поверхностной рекомбинации на холловское поле в собственном полупроводнике / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2008. - С. 61-63. |
| Краткий осмотр (реферат): | В статье приводятся результаты расчетов распределения концентрации неравновесного заряда и напряженности холловского поля с учетом поверхностной рекомбинации в кремнии с собственной проводимостью. Показывается, что при конечной скорости поверхностной рекомбинации образуется приповерхностная область накопления заряда, ширина которой сравнима с диффузионной длиной, а напряженность холловского поля заметно отличается от значения, определяемого по традиционной формуле. Уменьшение поля вследствие рекомбинации следует учитывать при разработке холловских датчиков малых размеров. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/40574 |
| Располагается в коллекциях: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2008 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Mad'yarov_Vliyanie.pdf | 190.98 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.