Влияние поверхностной рекомбинации на холловское поле в собственном полупроводнике

Abstract

В статье приводятся результаты расчетов распределения концентрации неравновесного заряда и напряженности холловского поля с учетом поверхностной рекомбинации в кремнии с собственной проводимостью. Показывается, что при конечной скорости поверхностной рекомбинации образуется приповерхностная область накопления заряда, ширина которой сравнима с диффузионной длиной, а напряженность холловского поля заметно отличается от значения, определяемого по традиционной формуле. Уменьшение поля вследствие рекомбинации следует учитывать при разработке холловских датчиков малых размеров.