Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905
Title: Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия
Authors: Лугин, Валерий Геннадьевич
Жарский, Иван Михайлович
Keywords: индий
термическое окисление
полупроводниковые материалы
тонкие пленки индия
магнетронное напыление
кремний монокристаллический
электронная микроскопия
Issue Date: 2001
Publisher: БГТУ
Citation: Лугин, В. Г. Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия / В. Г. Лугин, И. М. Жарский // Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001. - С. 53-60.
Abstract: Целью настоящей работы являлось исследование закономерностей изменения структурных и электрофизических параметров, происходящих в процессе неизотерми­ческого окисления тонких пленок индия.
URI: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905
Appears in Collections:Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Лугин. Жарский_Закономерности.pdf1.3 MBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.