Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905| Название: | Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия |
| Авторы: | Лугин, Валерий Геннадьевич Жарский, Иван Михайлович |
| Ключевые слова: | индий термическое окисление полупроводниковые материалы тонкие пленки индия магнетронное напыление кремний монокристаллический электронная микроскопия |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издательство: | БГТУ |
| Библиографическое описание: | Лугин, В. Г. Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия / В. Г. Лугин, И. М. Жарский // Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001. - С. 53-60. |
| Краткий осмотр (реферат): | Целью настоящей работы являлось исследование закономерностей изменения структурных и электрофизических параметров, происходящих в процессе неизотермического окисления тонких пленок индия. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/44905 |
| Располагается в коллекциях: | Жарский Иван Михайлович Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Лугин. Жарский_Закономерности.pdf | 1.3 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.