Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/61989| Title: | Особенности пленок полупроводников А{II}B{VI}, полученных методом химического осаждения или наслаивания |
| Authors: | Богомазова, Наталья Валентиновна Сидоров, В. Д. Голубева, А. А. Жарский, Иван Михайлович |
| Keywords: | субмикронные пленки пленки полупроводников класса А{II}В{VI} метод гидрохимического осаждения химическое наслаивание гидрохимическое осаждение CdS фотовольтаические гетероструктуры пленки широкозонных полупроводников |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | БГТУ |
| Citation: | Особенности пленок полупроводников А{II}B{VI}, полученных методом химического осаждения или наслаивания / Н. В. Богомазова [и др.] // Технологическая независимость и конкурентоспособность Союзного государства, стран СНГ, ЕАЭС и ШОС : сборник статей VI Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2023", Минск, 6-8 декабря 2023 г. : в 3 т. - Минск : БГТУ, 2023. - Т. 2. - С. 42-47. |
| Abstract: | Проведены исследования субмикронных пленок полупроводников класса А{II}В{VI} на примере покрытий CdS, полученных методом гидрохимического осаждения (CBD), а также ZnO и ZnS, полученных химического наслаивания (SILD или SILAR). Наиболее высокая скорость осаждения на уровне 13 нм/мин зафиксирована при гидрохимическом осаждении CdS. Отмечено, что нанесение пленки ZnO наиболее сильно снижает прозрачность стеклянной подложки с 90 до 40 %. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/61989 |
| Appears in Collections: | материалы конференции постатейно |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Богомазова_Особенности.pdf | 438.33 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.