Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/10220
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВолобуев, Влас Сергеевичru
dc.contributor.authorОлешкевич, А. А.ru
dc.date.accessioned2017-03-09T15:06:45Z-
dc.date.available2017-03-09T15:06:45Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationВолобуев, В. С. Изучение влияния флюенса имплантированных ионов железа и никеля на электрофизические свойства фоторезиста в СВЧ диапазоне / В. С. Волобуев, А. Н. Олешкевич // Технология органических веществ : тезисы докладов 78-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и аспирантов (с международным участием), Минск, 3-13 февраля 2014 г. / Белорусский государственный технологический университет. - Минск : БГТУ, 2014. - С. 48.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/10220-
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherБГТУru
dc.subjectионная имплантацияru
dc.subjectСВЧ резанаторыru
dc.subjectфоторезистивные нанокомпозитыru
dc.subjectионы никеляru
dc.subjectионы железаru
dc.subjectанизотропияru
dc.subjectпроводимостьru
dc.titleИзучение влияния флюенса имплантированных ионов железа и никеля на электрофизические свойства фоторезиста в СВЧ диапазонеru
dc.typeArticleen
Располагается в коллекциях:Технология органических веществ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Volobuev_48.pdf99.53 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.