Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/21579
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМахсудов, Б. И.ru
dc.contributor.authorДжураев, Х. Ш.ru
dc.contributor.authorКаримов, З.ru
dc.date.accessioned2017-06-26T15:09:57Z-
dc.date.available2017-06-26T15:09:57Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationМахсудов, Б. И. Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур / Б. И. Махсудов, Х. Ш. Джураев, З. Каримов // Физико-математические науки : тезисы докладов 81-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и аспирантов (с международным участием), Минск, 1-12 февраля 2017 г. / Белорусский государственный технологический университет. - Минск : БГТУ, 2017. - С. 59-61.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/21579-
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherБГТУru
dc.subjectполупроводниковые лазерыru
dc.subjectинжекционные лазерыru
dc.subjectлазерные гетероструктурыru
dc.subjectнанотехнологииru
dc.subjectтемпературная зависимостьru
dc.subjectпороговый ток лазераru
dc.titleВлияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктурru
dc.typeArticleen
Appears in Collections:Физико-математические науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mahsudov_59-61.pdf141.24 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.