Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/21579Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Махсудов, Б. И. | ru |
| dc.contributor.author | Джураев, Х. Ш. | ru |
| dc.contributor.author | Каримов, З. | ru |
| dc.date.accessioned | 2017-06-26T15:09:57Z | - |
| dc.date.available | 2017-06-26T15:09:57Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Махсудов, Б. И. Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур / Б. И. Махсудов, Х. Ш. Джураев, З. Каримов // Физико-математические науки : тезисы докладов 81-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и аспирантов (с международным участием), Минск, 1-12 февраля 2017 г. / Белорусский государственный технологический университет. - Минск : БГТУ, 2017. - С. 59-61. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/21579 | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | БГТУ | ru |
| dc.subject | полупроводниковые лазеры | ru |
| dc.subject | инжекционные лазеры | ru |
| dc.subject | лазерные гетероструктуры | ru |
| dc.subject | нанотехнологии | ru |
| dc.subject | температурная зависимость | ru |
| dc.subject | пороговый ток лазера | ru |
| dc.title | Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур | ru |
| dc.type | Article | en |
| Располагается в коллекциях: | Физико-математические науки | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Mahsudov_59-61.pdf | 141.24 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.