Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/21579| Название: | Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур |
| Авторы: | Махсудов, Б. И. Джураев, Х. Ш. Каримов, З. |
| Ключевые слова: | полупроводниковые лазеры инжекционные лазеры лазерные гетероструктуры нанотехнологии температурная зависимость пороговый ток лазера |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издательство: | БГТУ |
| Библиографическое описание: | Махсудов, Б. И. Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур / Б. И. Махсудов, Х. Ш. Джураев, З. Каримов // Физико-математические науки : тезисы докладов 81-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и аспирантов (с международным участием), Минск, 1-12 февраля 2017 г. / Белорусский государственный технологический университет. - Минск : БГТУ, 2017. - С. 59-61. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/21579 |
| Располагается в коллекциях: | Физико-математические науки |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Mahsudov_59-61.pdf | 141.24 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.