Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках

Abstract

Предложен метод расчета энергии активации прыжковой проводимости в легированных полупроводниках в широком интервале концентраций легирующих примесей. В основу способа положено представление о процессе прыжковой проводимости как изоэнергетическом туннелировании электронов между локализованными состояниями примесных атомов. Показано, что наличие максимума на концентрационных зависимостях энергии активации прыжковой проводимости является следствием двух конкурирующих процессов, происходящих с ростом концентрации примеси: удаление уровня Ферми от пика плотности примесных состояний и рост ширины этого пика. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными данными для германия, легированного фосфором, сурьмой и галлием.