Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456
Название: | Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках |
Авторы: | Мисевич, Алексей Васильевич Почтенный, Артем Евгеньевич |
Ключевые слова: | расчет энергии активации прыжковая проводимость легированные полупроводники концентрация центров локализации |
Дата публикации: | 2010 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Мисевич, А. В. Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках А. В. Мисевич. А. Е. Почтенный // Труды БГТУ. Сер. VI, Физико-математические науки и информатика. - Минск : БГТУ, 2010. – Вып. XVIII. – С. 74-77. |
Краткий осмотр (реферат): | Предложен метод расчета энергии активации прыжковой проводимости в легированных полупроводниках в широком интервале концентраций легирующих примесей. В основу способа положено представление о процессе прыжковой проводимости как изоэнергетическом туннелировании электронов между локализованными состояниями примесных атомов. Показано, что наличие максимума на концентрационных зависимостях энергии активации прыжковой проводимости является следствием двух конкурирующих процессов, происходящих с ростом концентрации примеси: удаление уровня Ферми от пика плотности примесных состояний и рост ширины этого пика. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными данными для германия, легированного фосфором, сурьмой и галлием. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456 |
Располагается в коллекциях: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2010 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
misevich_raschet.pdf | 1.89 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.