Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456
Название: Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках
Авторы: Мисевич, Алексей Васильевич
Почтенный, Артем Евгеньевич
Ключевые слова: расчет энергии активации
прыжковая проводимость
легированные полупроводники
концентрация центров локализации
Дата публикации: 2010
Издательство: БГТУ
Библиографическое описание: Мисевич, А. В. Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках А. В. Мисевич. А. Е. Почтенный // Труды БГТУ. Сер. VI, Физико-математические науки и информатика. - Минск : БГТУ, 2010. – Вып. XVIII. – С. 74-77.
Краткий осмотр (реферат): Предложен метод расчета энергии активации прыжковой проводимости в легированных полупроводниках в широком интервале концентраций легирующих примесей. В основу способа положено представление о процессе прыжковой проводимости как изоэнергетическом туннелировании электронов между локализованными состояниями примесных атомов. Показано, что наличие максимума на концентрационных зависимостях энергии активации прыжковой проводимости является следствием двух конкурирующих процессов, происходящих с ростом концентрации примеси: удаление уровня Ферми от пика плотности примесных состояний и рост ширины этого пика. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными данными для германия, легированного фосфором, сурьмой и галлием.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456
Располагается в коллекциях:Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2010

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
misevich_raschet.pdf1.89 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.