Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456
Title: | Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках |
Authors: | Мисевич, Алексей Васильевич Почтенный, Артем Евгеньевич |
Keywords: | расчет энергии активации прыжковая проводимость легированные полупроводники концентрация центров локализации |
Issue Date: | 2010 |
Publisher: | БГТУ |
Citation: | Мисевич, А. В. Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках А. В. Мисевич. А. Е. Почтенный // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2010. – С. 74-77. |
Abstract: | Предложен метод расчета энергии активации прыжковой проводимости в легированных полупроводниках в широком интервале концентраций легирующих примесей. В основу способа положено представление о процессе прыжковой проводимости как изоэнергетическом туннелировании электронов между локализованными состояниями примесных атомов. Показано, что наличие максимума на концентрационных зависимостях энергии активации прыжковой проводимости является следствием двух конкурирующих процессов, происходящих с ростом концентрации примеси: удаление уровня Ферми от пика плотности примесных состояний и рост ширины этого пика. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными данными для германия, легированного фосфором, сурьмой и галлием. |
URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456 |
Appears in Collections: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2010 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
misevich_raschet.pdf | 1.89 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.