Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456
Title: Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках
Authors: Мисевич, Алексей Васильевич
Почтенный, Артем Евгеньевич
Keywords: расчет энергии активации
прыжковая проводимость
легированные полупроводники
концентрация центров локализации
Issue Date: 2010
Publisher: БГТУ
Citation: Мисевич, А. В. Расчет концентрационной зависимости энергии активации проводимости в легированных полупроводниках А. В. Мисевич. А. Е. Почтенный // Труды БГТУ. Сер. VI, Физико-математические науки и информатика. - Минск : БГТУ, 2010. – Вып. XVIII. – С. 74-77.
Description: Предложен метод расчета энергии активации прыжковой проводимости в легированных полупроводниках в широком интервале концентраций легирующих примесей. В основу способа положено представление о процессе прыжковой проводимости как изоэнергетическом туннелировании электронов между локализованными состояниями примесных атомов. Показано, что наличие максимума на концентрационных зависимостях энергии активации прыжковой проводимости является следствием двух конкурирующих процессов, происходящих с ростом концентрации примеси: удаление уровня Ферми от пика плотности примесных состояний и рост ширины этого пика. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными данными для германия, легированного фосфором, сурьмой и галлием.
URI: https://elib.belstu.by/handle/123456789/24456
Appears in Collections:2010, № 6

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
misevich_raschet.pdf1.89 MBAdobe PDFView/Open



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.