Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/24779
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2018-03-31T06:56:08Z-
dc.date.available2018-03-31T06:56:08Z-
dc.date.issued1992-
dc.identifier.citationУрбанович, П. П. Расчет показателей надежности избыточных бис запоминающих устройств / П. П. Урбанович // Микроэлектроника. - 1992. - Т. 21, вып. 1. - С. 27-30.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/24779-
dc.descriptionРассмотрена методика прогнозирующего расчета и оценки вероятности и времени наработки на отказ, а также интенсивности некорректируемых отказов в избыточных БИС памяти, в которых используется код, корректирующий одиночные ошибки. Пока­зано, что при относительной площади накопителя на кристалле, лежащей в пределах 0,4-0,7, время наработки на отказ БИС информационной емкостью 16 Кбит практи­чески может быть увеличено в 1,5-4,0 раза. Даны рекомендации по использованию модели в инженерных расчетах.ru
dc.subjectзапоминающие устройстваru
dc.subjectрасчет показателей надежностиru
dc.titleРасчет показателей надежности избыточных БИС запоминающих устройствru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc681.3.07.62-
Располагается в коллекциях:Статьи в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
12 Urb_Micro-92.pdf497.05 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.