Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/25697
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВерниковский, Е. А.-
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2018-05-30T06:44:34Z-
dc.date.available2018-05-30T06:44:34Z-
dc.date.issued1989-
dc.identifier.citationВерниковский, Е. А. Статистические характеристики отказов запоминающих элементов в микросхемах памяти/ Е. А. Верниковский, П. П. Урбанович // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 1989. – Т. 130, вып. 1. – С. 61-63.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/25697-
dc.descriptionОписаны экспериментально полученные статистические характеристики распределения производственных и эксплуатационных отказов запоминающих элементов в накопителях БИС ЗУ информационной емкостью 4 К. Показано, что по мере совершенствования технологии, конструкции и других особенностей производства БИС характер распределения производственных отказов от группирования изменяется в сторону статистической независимости.ru
dc.subjectотказы запоминающих элементовru
dc.titleСтатистические характеристики отказов запоминающих элементов в микросхемах памятиru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:Статьи в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Vernik_Urban.pdf256.03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.