Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/25892
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павловичru
dc.date.accessioned2018-08-14T11:17:37Z-
dc.date.available2018-08-14T11:17:37Z-
dc.date.issued1993-
dc.identifier.citationУрбанович, П. П. Структурно-изыточные методы повышения отказоустойчивости полупроводниковых микросхем памяти с группирующимися отказами / П. П. Урбанович ; Московский энергетический институт : автореф. дис. … доктора техн. наук : 05.13.05. – Москва, 1993. – 25 сru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/25892-
dc.description.abstractЦелью работы является комплексное исследование, разработка и внедрение методов построения отказоустойчивых микросхем полупроводниковой памяти высокой и сверхвысокой степени интеграцииru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherМоскваru
dc.subjectзапоминающие устройстваru
dc.subjectотказоустойчивые микросхемыru
dc.subjectавтореферат диссертацииru
dc.titleСтруктурно-изыточные методы повышения отказоустойчивости полупроводниковых микросхем памяти с группирующимися отказамиru
dc.typeThesisen
Располагается в коллекциях:Авторефераты диссертаций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Urbanovich_Strukturno.pdf319.87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.