Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/30499
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2019-09-18T05:59:27Z-
dc.date.available2019-09-18T05:59:27Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationУрбанович П. П. Определение показателей надежности кристаллов избыточных запоминающих устройств / П. П. Урбанович // VII Международная конференция по микроэлектронике, Минск, 16-18 октября 1990. Т. 1. - Минск. - 1990. - С. 261.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/30499-
dc.descriptionОдним из эффективных средств повышения надежности кристаллов полупроводниковых запоминающих устройств (ЗУ) являются методы, основанные на реализации принципов структурной и временной избыточности. Избыточные схемы обеспечивают обнаружение и исправление наиболее вероятных для данного ЗУ информационных ошибок, возникающих из-за отказов или сбоев (кратковременных отказов) в ЗУ.ru
dc.subjectизбыточные запоминающие устройстваru
dc.subjectнадежность кристалловru
dc.titleОпределение показателей надежности кристаллов избыточных запоминающих устройствru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Microelectronics'90-2.PDF70.03 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.