Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/30500
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Урбанович, Павел Павлович | - |
dc.date.accessioned | 2019-09-18T06:01:34Z | - |
dc.date.available | 2019-09-18T06:01:34Z | - |
dc.date.issued | 1990 | - |
dc.identifier.citation | Урбанович П. П. Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам / П.П. Урбанович // VII Международная конференция по микроэлектронике. Минск, 16-18 октября 1990. Т. 4. - Минск. - 1990. - С. 30-32 | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/30500 | - |
dc.description | Одно из направлений в современных методах обеспечения надежности микросхем запоминающих устройств (ЗУ) заключается в размещении на кристалле ЗУ избыточных логических и запоминающих элементов, посредством которых осуществляется замена или нейтрализация дефектных либо отказавших элементов | ru |
dc.subject | запоминающие устройства | ru |
dc.subject | надежность информации | ru |
dc.title | Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам | ru |
dc.type | Article | ru |
Appears in Collections: | Статьи в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Microelectronics'90-3.PDF | 177.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.