1. Электронная библиотека БГТУ
  2. Статьи ученых БГТУ
  3. Статьи в зарубежных изданиях
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/30500
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2019-09-18T06:01:34Z-
dc.date.available2019-09-18T06:01:34Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationУрбанович П. П. Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам / П.П. Урбанович // VII Международная конференция по микроэлектронике. Минск, 16-18 октября 1990. Т. 4. - Минск. - 1990. - С. 30-32ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/30500-
dc.descriptionОдно из направлений в современных методах обеспечения надежности микросхем запоминающих устройств (ЗУ) заключается в размещении на кристалле ЗУ избыточных логических и запоминающих элементов, посредством которых осуществляется замена или нейтрализация дефектных либо отказавших элементовru
dc.subjectзапоминающие устройстваru
dc.subjectнадежность информацииru
dc.titleНадежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкамru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:Статьи в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Microelectronics'90-3.PDF177.46 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.