1. Электронная библиотека БГТУ
  2. Статьи ученых БГТУ
  3. Статьи в зарубежных изданиях
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/30500
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2019-09-18T06:01:34Z-
dc.date.available2019-09-18T06:01:34Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationУрбанович П. П. Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам / П.П. Урбанович // VII Международная конференция по микроэлектронике. Минск, 16-18 октября 1990. Т. 4. - Минск. - 1990. - С. 30-32ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/30500-
dc.descriptionОдно из направлений в современных методах обеспечения надежности микросхем запоминающих устройств (ЗУ) заключается в размещении на кристалле ЗУ избыточных логических и запоминающих элементов, посредством которых осуществляется замена или нейтрализация дефектных либо отказавших элементовru
dc.subjectзапоминающие устройстваru
dc.subjectнадежность информацииru
dc.titleНадежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкамru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:Статьи в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Microelectronics'90-3.PDF177.46 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.