Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/30500
Название: Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам
Авторы: Урбанович, Павел Павлович
Ключевые слова: запоминающие устройства
надежность информации
Дата публикации: 1990
Библиографическое описание: Урбанович П. П. Надежность избыточных микросхем памяти, устойчивых к двойным ошибкам / П.П. Урбанович // VII Международная конференция по микроэлектронике. Минск, 16-18 октября 1990. Т. 4. - Минск. - 1990. - С. 30-32
Описание: Одно из направлений в современных методах обеспечения надежности микросхем запоминающих устройств (ЗУ) заключается в размещении на кристалле ЗУ избыточных логических и запоминающих элементов, посредством которых осуществляется замена или нейтрализация дефектных либо отказавших элементов
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/30500
Располагается в коллекциях:Публикации в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Microelectronics'90-3.PDF177.46 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.