Оценка надежности полупроводниковых ЗУ с коррекцией одиночных ошибок

Урбанович, Павел Павлович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/30502

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Урбанович, Павел Павлович	-
dc.date.accessioned	2019-09-18T06:11:36Z	-
dc.date.available	2019-09-18T06:11:36Z	-
dc.date.issued	1988	-
dc.identifier.citation	Урбанович П. П. Оценка надежности полупроводниковых ЗУ с коррекцией одиночных ошибок П. П. Урбанович // Проблемы качества и надежности изделий электронной техники, радиоэлектронной аппаратуры и средств управления. Тезисы докладов НТК. Минск, 1-2 декабря 1988. - Минск. - 1988. - С. 90.	ru
dc.identifier.uri	https://elib.belstu.by/handle/123456789/30502	-
dc.description	Предлагаемая аналитическая модель надежности БИС построена о учетом структуры кристалла С точки зрения схемотехники ЗУ состоит из накопителя, схем выборки элементов памяти (ЭП), блоков ввода/вывода информации и др. В соответствии с этим кристалл делится на отдельные участки зоны), отказы в которых приводят к разным последствиям: отказам одиночных ЭП, строк, столбов накопителя и др.	ru
dc.subject	полупроводниковые запоминающие устройства	ru
dc.subject	надежность кристаллов	ru
dc.title	Оценка надежности полупроводниковых ЗУ с коррекцией одиночных ошибок	ru
dc.type	Article	ru
Appears in Collections:	Статьи в республиканских изданиях

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
NTK_Minsk’88.PDF		88.88 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record