Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/31649
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мадьяров, Владимир Рафкатович | ru |
dc.date.accessioned | 2019-11-27T09:42:59Z | - |
dc.date.available | 2019-11-27T09:42:59Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Мадьяров, В. Р. Определение времени релаксации носителей в полупроводниках с помощью частотных зависимостей фазового сдвига зондирующего СВЧ-излучения / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика. - Минск : БГТУ, 2019. - № 2 (224). - С. 105-108 | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/31649 | - |
dc.description.abstract | В данной работе предложена методика оценки времени релаксации носителей заряда в пластинках n-Si и n-Ge. В технически достижимом диапазоне частот 30–80 ГГц становится заметной зависимость диэлектрической проницаемости образца от частоты зондирующего излучения. Время релаксации τ оценивается по наклону зависимости частотного уменьшения диэлектрической проницаемости Δε от квадрата частоты, которая в этом диапазоне частот с достаточной степенью точности пропорциональна τ3. Значения Δε определялись с помощью интерферометра по величине сдвига фазы зондирующей волны. Для исследуемых образцов полученные значения τ находятся в диапазоне 0,2–0,8 пс. Аппроксимация полученных температурных зависимостей времени релаксации степенными функциями показывает, что наблюдаемое уменьшение времени релаксации описывается зависимостями τ = 7 · 10 –10T–1,34 для Ge и τ = 3,8 · 10 –10T–1,28 для Si. Наиболее вероятным механизмом такого поведения является рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях решетки. В сочетании с методами определения концентрации носителей заряда и удельной проводимости предлагаемая методика может применяться для оценки эффективной массы носителей заряда в полупроводниковых материалах в широком температурном диапазоне. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | полупроводники | ru |
dc.subject | волны миллиметрового диапазона | ru |
dc.subject | носители заряда | ru |
dc.subject | время релаксации носителей | ru |
dc.subject | перенос носителей заряда | ru |
dc.subject | частотная зависимость | ru |
dc.title | Определение времени релаксации носителей в полупроводниках с помощью частотных зависимостей фазового сдвига зондирующего СВЧ-излучения | ru |
dc.type | Article | en |
dc.identifier.udc | 537.633.2 | - |
Appears in Collections: | выпуск журнала постатейно |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
17. Mad'jarov_opredelenie.pdf | 776.81 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.