Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/31649
Название: | Определение времени релаксации носителей в полупроводниках с помощью частотных зависимостей фазового сдвига зондирующего СВЧ-излучения |
Авторы: | Мадьяров, Владимир Рафкатович |
Ключевые слова: | полупроводники волны миллиметрового диапазона носители заряда время релаксации носителей перенос носителей заряда частотная зависимость |
Дата публикации: | 2019 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Мадьяров, В. Р. Определение времени релаксации носителей в полупроводниках с помощью частотных зависимостей фазового сдвига зондирующего СВЧ-излучения / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика. - Минск : БГТУ, 2019. - № 2 (224). - С. 105-108 |
Краткий осмотр (реферат): | В данной работе предложена методика оценки времени релаксации носителей заряда в пластинках n-Si и n-Ge. В технически достижимом диапазоне частот 30–80 ГГц становится заметной зависимость диэлектрической проницаемости образца от частоты зондирующего излучения. Время релаксации τ оценивается по наклону зависимости частотного уменьшения диэлектрической проницаемости Δε от квадрата частоты, которая в этом диапазоне частот с достаточной степенью точности пропорциональна τ3. Значения Δε определялись с помощью интерферометра по величине сдвига фазы зондирующей волны. Для исследуемых образцов полученные значения τ находятся в диапазоне 0,2–0,8 пс. Аппроксимация полученных температурных зависимостей времени релаксации степенными функциями показывает, что наблюдаемое уменьшение времени релаксации описывается зависимостями τ = 7 · 10 –10T–1,34 для Ge и τ = 3,8 · 10 –10T–1,28 для Si. Наиболее вероятным механизмом такого поведения является рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях решетки. В сочетании с методами определения концентрации носителей заряда и удельной проводимости предлагаемая методика может применяться для оценки эффективной массы носителей заряда в полупроводниковых материалах в широком температурном диапазоне. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/31649 |
Располагается в коллекциях: | выпуск журнала постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
17. Mad'jarov_opredelenie.pdf | 776.81 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.