Компьютерное моделирование тепловых процессов в мощном полупроводниковом приборе

Abstract

Рассмотрена компьютерная модель процессов теплообмена внутри мощного четырехкристального светодиода. Показано, что значительную часть в общее тепловое сопротивление прибора вносит тепловое сопротивление слоя посадки полупроводникового чипа. Отмечено, что дополнительное тепловое сопротивление, создаваемое слоем посадки, приводит к существенному повышению максимального перегрева светодиодных чипов (почти в 3 раза по сравнению с перегревами, которые могли бы иметь место в отсутствие теплового сопротивления этого слоя).