Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/3223| Название: | Компьютерное моделирование тепловых процессов в мощном полупроводниковом приборе |
| Авторы: | Хорунжий, И. А. |
| Ключевые слова: | светоизлучающие диоды теплообмен четырехкристальные светодиоды тепловое сопротивление светодиодные чипы компьютерное моделирование полупроводниковые светодиоды светодиоды полупроводниковые |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издательство: | БГТУ |
| Библиографическое описание: | Хорунжий, И. А. Компьютерное моделирование тепловых процессов в мощном полупроводниковом приборе / И. А. Хорунжий // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2012. - С. 101-103 |
| Краткий осмотр (реферат): | Рассмотрена компьютерная модель процессов теплообмена внутри мощного четырехкристального светодиода. Показано, что значительную часть в общее тепловое сопротивление прибора вносит тепловое сопротивление слоя посадки полупроводникового чипа. Отмечено, что дополнительное тепловое сопротивление, создаваемое слоем посадки, приводит к существенному повышению максимального перегрева светодиодных чипов (почти в 3 раза по сравнению с перегревами, которые могли бы иметь место в отсутствие теплового сопротивления этого слоя). |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/3223 |
| Располагается в коллекциях: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2012 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 031xorunzhii-i.-a.-kompyuternoe-modelirovanie-teplovyx-processov-v-moshhnom-polupro-.pdf | 293.76 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.