Изучение окисленных слоев на поверхности арсенида галлия

Abstract

Окисная пленка, постоянно присутствующая на свободной поверхности арсенида галлия, отрицательным образом сказывается на качестве эпитаксиальных, особенпо тонких слоев. В статье изучены окисленные слои на поверхности арсенида галлия. Полученные в работе результаты свидетельствуют о том, что окисные слои, присутствующие на поверхности образцов арсенида галлия, могут существенно отличаться по составу, в частности по соотношению мышьяка и галлия в зависимости от способа получения кристаллов (или эпитаксиальных пленок), ориентации и метода обработки поверхности.